鉭電容代理商淺談AVX鉭電容的溫度特點
2020-10-29 17:00:15
AVX鉭電容應用很廣泛 ，作為鉭電容代理商的我們，帶你了解其溫度特點。
鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。在工作溫度范圍內，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。這是一個在電容器的能量損耗的測量，它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。術語是功率因數，損耗因子和介電損耗。
耗散與溫度的關系：
耗散系數隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。耗散因數測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF 是開展測量橋梁供應一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，免費諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。對于表面貼裝產品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。
耗散因數的頻率依賴性：
隨著頻率的增加損耗因數所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗；半導體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR：
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，粘性勢力內介質和生產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關系；ESR=譚δ2πfC 其中F是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，高頻率就變成了主導因素。從而ESR和阻抗幾乎相同，阻抗僅小幅走高。
鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。在工作溫度范圍內，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。這是一個在電容器的能量損耗的測量，它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。術語是功率因數，損耗因子和介電損耗。
耗散與溫度的關系：
耗散系數隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。耗散因數測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF 是開展測量橋梁供應一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，免費諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。對于表面貼裝產品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。
耗散因數的頻率依賴性：
隨著頻率的增加損耗因數所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗；半導體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR：
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，粘性勢力內介質和生產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關系；ESR=譚δ2πfC 其中F是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，高頻率就變成了主導因素。從而ESR和阻抗幾乎相同，阻抗僅小幅走高。
