鉭電容專欄
鉭電容技術(shù)
你了解鉭電容的優(yōu)點嗎？
2021-05-18 16:38:37
鉭電容的使用至今已接近60年，它以長期可靠性和容值密度而著稱。鉭電容在軍用和商用航空電子、可植入醫(yī)療電子、筆記本電腦、智能手機及工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)設(shè)計中居于中心地位。
鉭電容受歡迎的主要因素是其體積效率產(chǎn)生的高單位體積容值。容值公式如下：C=(kA)/d
其中：
C表示容值
k表示介電常數(shù)
A表示表面面積
d表示電介質(zhì)厚度
鉭電容受歡迎的主要因素是其體積效率產(chǎn)生的高單位體積容值。容值公式如下：C=(kA)/d
其中：
C表示容值
k表示介電常數(shù)
A表示表面面積
d表示電介質(zhì)厚度
鉭電容憑著極大的表面面積、高介電常數(shù)和相對較薄的電介質(zhì)層，可在1μF至2,200μF容值范圍內(nèi)和最大50V外加電壓條件提供最佳的容值密度。高級鉭粉和高效率封裝的結(jié)合使鉭電容領(lǐng)先于替代技術(shù)。比如現(xiàn)在的鉭電容能以0402外殼尺寸在4V充電電壓下提供22μF容值。在電壓范圍的另一端，可以找到采用單個封裝，在50V充電電壓下提供47μF容值的鉭電容。
傳統(tǒng)鉭電容的陰極系統(tǒng)使用二氧化錳(MnO2)材料，這種半導體材料提供自愈機制且相對便宜。但其富氧配方在高熱的極端環(huán)境中易導致起火。自上世紀90年代中期以來，導電聚合物技術(shù)趨于成熟，從而與MnO2產(chǎn)品形成互補。因為導電率顯著高于MnO2，導電聚合物可降低ESR。此進展與消除敏感應(yīng)用中的起火危險相結(jié)合，推動了相關(guān)企業(yè)對這種技術(shù)的投資。
