鉭電容專(zhuān)欄
鉭電容技術(shù)
區(qū)分KEMET鉭電容與AVX鉭電容的方法
2021-05-18 16:38:10
雖然KEMET與AVX鉭電容都是黃色外包裝，但可以看到它們的標(biāo)識(shí)打法不同，AVX的打字是橫向打法，KEMET的打字是豎向打法。AVX兩端的引腳大不相同，一邊是“口”字型，一邊是“凹”字型，而KEMET鉭電容它的兩端引腳都是“口”字型。
隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線(xiàn)相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗；半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線(xiàn)電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR：
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴(lài)性和可利用的關(guān)系；ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR 是在25°C和100kHz的測(cè)量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。
說(shuō)到AVX鉭電容，就再說(shuō)說(shuō)AVX鉭電容的溫度特點(diǎn)。
鉭電容的電容隨溫度變化而發(fā)生變化，這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴(lài)額定電壓和電容的大小。在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會(huì)隨著溫度的上升而上升。這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測(cè)量，它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語(yǔ)是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)?！笆褂脺y(cè)量進(jìn)行測(cè)量譚橋梁，提供一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)。
耗散因數(shù)的頻率依賴(lài)性：隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線(xiàn)相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗；半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線(xiàn)電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR：
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴(lài)性和可利用的關(guān)系；ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR 是在25°C和100kHz的測(cè)量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。
